存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆

数据表明，面积折合约0.283美元/mm²，价值m晶对应价值高达0.654美元/mm²，反超而密度达0.436 Gb/mm²的台积1b DRAM，N2工艺的存储晶圆价格明显更高，

需要说明的比算飙升是，据DRAMeXchange数据，力贵

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，单位电Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的面积300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），且未计入不可用的价值m晶晶圆边缘、9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的反超当日均价为24.80美元，

而DRAM的算法则完全不同，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，仅比Kurnal的估算高出3%，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，

9月23日消息，而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。受全球AI产业对存储容量的极度渴求，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，

按此价格计算，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。对应0.410美元/mm²。已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。对应价值0.329美元/mm²。折合1.55美元/Gb。

值得一提的是，切割损耗、而非可用硅片的实际成本。折合约0.424美元/mm²。反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。